СИЛОВОЙ КЛЮЧ ZXTN

   Силовой ключ – ZXTN2007G имеет встроенный n-р-n транзистор с гарантированным
напряжением насыщения коллектор-эмиттер не более 100 мВ. Сопротивление в открытом состоянии RSAT = 28 мОм при токе 6,5 А. 
Способен выдерживать импульсный ток коллектора до 20 А, напряжение коллектор-эмиттер 30 В, коэффициент передачи тока
до 300. Динамические характеристики транзистора: f =140 МГц, выходная емкость 48 пф. 

   Детали схемы силового ключа ZXTN: Диод Шотки 2А, 40 В. Накопительный дроссель L1. В качестве накопительного дросселя можно использовать как промышленные SMD Power Inductor, так и самодельные. Дроссель L1 должен выдерживать максимальный ток силового ключа VT1 без насыщения магнитопровода. Активное сопротивление обмотки дросселя не должно превышать 0,1 Ом, иначе КПД преобразователя заметно снизится. При самостоятельной намотке, для контроля, понадобится измеритель индуктивности. Токоизмерительный резистор R1. Низкоомный резистор R1 сопротивлением 18 мОм получен параллельным соединением трех SMD резисторов двух 0.05 Ом и одного 0,1 Ом. Токоизмерительный резистор R2 Низкоомный резистор R2 сопротивлением 0,82-0,33 Ом получен параллельным соединением двух SMD резисторов 1,6 -1 Ом. Конденсаторы с малым ESR, С1 – керамический (или танталовый), С2 – танталовый. Величина этих конденсаторов указана минимальная и для светодиодов 3-5 Вт должна быть увеличина в 2-3 раза. Печатная плата выполнена на двухстороннем стеклотекстолите. Вторая сторона экран соединена с минусом питания.

   Схема силового ключа предназначена для питания 5Вт светодиодов типа LUXEON V имеющих параметры: Падение напряжения - 7В; Номинальный ток – 0,7 А. Один такой светодиод можно заменить, например двумя 3Вт включённых последовательно.

   Схемы силовых ключей